安森美半导体发布领先行业的超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器用于要求严苛的应用

2018-06-05 15:06

PCIM, 德国纽伦堡,2018年6月5日至7日,9号厅342号展台

安森美半导体发布领先行业的超高电源抑制比(PSRR) LDO 稳压器
用于要求严苛的应用

高 PSRR 提高成像和无线和汽车应用的性能


2018年6月5日 —推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON) 发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO),具有业界最佳的电源抑制比(PSRR),能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的 NCP16x 系列,连同其汽车变体器件同时符合 AEC-Q100车规的 NCV81x,在各类应用中提供更好的性能,如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。

 NCP16x系列包括四个输入电压范围从1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各种不同的终端应用。输出电流250毫安(mA)、450 mA和700 mA,采用相同封装,使设计易于扩展。98分贝(dB)的超高PSRR阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路,而6.5微伏(uV)均方根的超低噪声无需额外的输出电容。

新的 LDO 稳压器具有80毫伏(mV)的低压降,支持和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流仅为12微安培(uA),进一步增强此特性。这些器件可提供1.2 V 至5.3 V 的固定输出电压,在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1 uF 的输入输出电容实现稳定的工作,能降低系统成本和体积。

新器件系列采用了一种新的专利架构来实现超高的 PSRR 性能,并扩展了安森美半导体在这一领域的领先地位,在宽频率范围(10 kHz至100 kHz)提供高 PSRR 对于终端应用性能非常重要。例如,在 ADAS 相机的图像传感器应用中,NCV8163通过滤除电源噪声来改善图像质量,避免电源噪声损坏施加到像素的电压信号。在无线应用中,如 WiGig 802.11ad,NCP167既具备超高 PSRR 又有超低噪声,确保系统的每比特供电能效能通过提供干净的电源来实现。

安森美半导体高级产品业务总监 Tim Kaske说:“这一系列新的超低噪音 LDO 大大提高了PSRR,比一些传统的 LDO 高 30 dB。我们的客户对他们能够以这个新产品系列达到的新的性能水平感到兴奋。LDO 仍然是低电流应用的最佳方案,其小体积和现在更高的 PSRR 性能水平及低噪声,是噪声敏感的射频(RF)和图像传感器应用的理想电源管理方案。例如,我们有越来越多的图像传感器参考设计使用这一新的 LDO 系列。安森美半导体提供的整个系统级应用使工程师能够迅速实施当今市场上最高图像质量的传感器方案。”

NCP16x 采用 TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封装。其汽车变体器件 NCV816x采用 TSOP-5和XDFN-4封装。所有器件均适用于现代高密度设计。


更多资源及文档:
登录页:超高 PSRR LDO 稳压器
视频:高 PSRR LDO 稳压器简介和汽车成像用例
视频:了解高性能 PSRR LDO 产品
博客:《什么是 LDO 噪声?》
博客:《低压降(LDO)稳压器之理想与现实》


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安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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