安森美半导体携手伟诠电子推出全新世界级的高能效、高密度 USB PD 电源适配器方案
2018-11-19 16:36
USB 标准在不断演进,能效法规也在日趋严格。领先的电源半导体供应商安森美半导体利用在电源半导体领域的专长和伟诠在 USB PD 领域的领先技术,推出一系列高能效、高密度的USB PD电源适配器,满足市场需求,符合并超越能效标准,如最近的 65 W 超高密度USB PD适配器方案,支持 USB Type-C 接口 PD 3.0和高通 Qualcomm Quick® Charge 3.0TM Class A 快充协议,最新的 90 W 高密度 USB PD 适配器方案支持 USB Type-C 接口PD 3.0、QC4.0 和 PPS 协议,采用有源钳位反激(ACF) 拓扑,使用行业标准的超结 FET,功率密度分别为30 W/in^3和20.8 W/in^3,峰值能效分别超过94%和92%。
USB PD、QC 3.0 和 QC 4.0 简介
USB PD 全称 USB Power Delivery,即 USB 功率传输协议,支持同时进行数据通信和高达100 W 的电力传输。
QC 3.0是高通第三代快充技术,其支持的总线电压(VBUS) 范围,Class A 为 3.6 V 至 12 V,Class B 为 3.6 V 至 20 V。高通的快充技术如今已发展到第四代即 QC4.0,同时支持 USB PD。
先进的控制器和驱动器提供高能效、紧凑的 ACF USB PD 适配器方案
安森美半导体的65 W 和 90 W ACF USB PD 适配器方案是现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。使用在65 W ACF USB PD 适配器中的核心芯片 NCP1568 和 NCP51530 还获《今日电子》(EPC)与 21IC 中国电子网 (21ic.com)评选为2018年度 Top 10 电源产品奖,这是电子业备受认同的确定创新/高品质产品的一个基准。
90 W ACF USB PD 适配器方案中还采用升压跟随电路,提升 PFC 控制性能,并能提升低工作电压效率。
NCP51530 是700伏(V)高频率、高边与低边驱动器,可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率 MOSFET。其特点是快速的动态响应,30纳秒(ns)的传播延迟适合高频工作,而 5 ns 的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。NCP51530 提供非常强固的方案,不易受 dv/dt(高达50 V/ns) 和负瞬态的影响。
伟诠的 USB PD 控制器 WT6615F 支持 USB PD 3.0 规范和 QC 3.0,用于 USB Type-C DFP 下行端口(源)充电应用,通过集成 USB PD 基带物理层、Type-C 检测、并联稳压器、电压和电流检测、负载开关的 MOSFET 控制器和8位微处理器,最大限度地减少外部元件数,实现小外形和低物料单(BOM)成本,支持 3 V 至 30 V 的宽工作电压范围,无需外部 LDO,多次可编程的 ROM 可用于编辑程序代码及用户配置数据。
两款方案都集成全面的保护特性,包括自适应输出过压保护、欠压保护、过流保护、短路保护、电缆压降补偿、ACF 开环保护等,在实现高能效和高功率密度的同时确保高可靠性。
能效和性能测试
根据最新的 COC V5 Tier 2 标准,待机功耗、平均能效和10%负载能效需达到以下规格。
经测试,65 W 和 90 W ACF USB PD 适配器方案峰值能效分别超过94%和92%,平均能效和10%负载能效也都符合并超越 COC V5 Tier2 标准,且纹波小,动态性能佳。以90 W 方案为例,能效测试曲线如下:
总结
安森美半导体和伟诠电子合作推出的 65 W 和 90 W ACF USB PD 电源适配器方案采用 ACF 拓扑,高能效、低待机功耗,符合并超越 COC V5 Tier2 能效标准,使用行业标准的超级结 FET,且工作的高频率大幅缩减元件尺寸,实现高功率密度,全面的保护特性确保高可靠性和高强固性,纹波和动态性能极佳,使设计人员能快速开发出支持 USB-PD 和高通 Quick Charge™ 规格的紧凑的、高能效电源适配器。
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