智能功率模块(IPM)广泛用于变频空调压缩机驱动、户内户外风扇驱动和功率校正电路。近年来，泵和工业风扇领域因为对紧凑化的要求，也开始使用IPM产品进行设计，随着变频系统和伺服驱动应用于工业机器人等新兴领域，IPM 的高可靠性设计也开始大显神威。安森美半导体的 IPM 阵容强大，技术领先，功率等级从50 W 至7.5 kW，满足各种不同的应用需求，并持续研发更高功率密度和能效、更可靠的IPM，拓展工业应用领域，以助力提升工业能效，并满足工业新兴领域的需求。

IPM在一个封装模块中高度集成 MOSFET 和 IGBT 等分立功率器件、高低压驱动芯片和外围阻容器件、二极管，实现比分立方案更灵敏准确的保护功能、更简单的外围元器件设计、更简化的生产工艺和更好的散热性能。

IPM 可以无需绝缘垫片直接与外部散热器相连，不但简化了散热的工艺难度，而且也降低了热阻。IPM 的这种优点基于 IPM 基板技术。

直连铜基板(DBC)、陶瓷基板和绝缘金属基板(IMST)是三种不同的 IPM 基板技术，各有优缺点，可基于不同的应用需求使用不同的基板技术。DBC 技术热阻最低，可实现最高的电流密度，但工艺难度较高，成本最高。陶瓷基板技术成本稍低，易于量产，适用于功率密度稍高、同时对成本有较高要求的领域，和 DBC 工艺一样，隔离电压大于4kV，但受制于工艺本身，贴装的器件比较有限。IMST 技术易贴装各类电阻电容和电感器件，但热阻较大，所以电流低。

SPM 的优点之一就是高度的集成化设计，但因为引脚定义各家供应商不相同，造成客户对单一供应商的担心，安森美半导体的 SPM®49在封装上兼容“M”公司的 Large DIP 系列产品，可以消除客户对“独家”供应商的担心。

SPM®49采用先进的沟槽型 IGBT，比平面型 IGBT 功率密度更高，使用 DBC 基板技术，热阻极低，因而有更高的热性能，尺寸为79mm*31mm*8mm，相比 Large DIP，SPM®49爬电距离更远，绝缘性能更优。同时，针对电机驱动领域，SPM®49采用短路耐受型的IGBT，可承受长达5 us 以上的短路耐受时间。安森美半导体已推出的 SPM®49是650 V、50A 的 NFAL5065L4B 和650 V、75A 的 NFAL7565L4B，未来将陆续推出1200V 的10A、25A、35A 和50A 电流等级产品。

针对相同封装尺寸的 SPM®49和 Large DIP 产品，我们在相同条件下进行了测试，结果显示在所有工作频率 / 输出电流测试条件下，安森美半导体的 SPM®49产品 NFAL7565L4BT 的壳温都比竞争对手低。

SPM®31引脚兼容M公司的 Mini DIP 产品，消除客户对独家供应商的担忧，采用先进的650V 沟槽型 IGBT 和 DBC 技术，热阻降低12%左右，由于引线引脚和螺丝孔兼容设计，所以无需 PCB 再设计，且侧面无虚设引脚的先进封装工艺使爬电距离更远，便于散热器设计灵活性改进，此外，内置热敏电阻 NTC 实现更精确和直接的检测，便于客户的热设计。安森美半导体已推出的 SPM®31产品是650 V、30A的 NFAM3065L4B 和650 V、50A 的NFAM5065L4B，未来将陆续推出1200V 的5A、10A、20A 电流等级产品。

针对相同封装尺寸的 SPM®31和 Mini DIP 产品，我们在相同条件下进行了测试，结果显示在所有工作频率 / 输出电流测试条件下，安森美半导体的SPM®31产品NFAM5065L4BT的壳温和损耗都比竞争对手低，尤其在更高频率、重载的情况下，热性能优势明显。

SPM®34用于达7.5kW 的空调、逆变器、泵和风扇

SPM®34覆盖达7.5kW 的功率等级，采用先进的650V 和1200V 沟槽型的短路耐受 IGBT，和 DBC 基板技术，散热性极佳，在工业领域有着很多的成功案例。

成熟的 SPM®3V(达5kW) 广泛用于从空调到工业变频器领域

SPM®3V产品最高功率等级为5kW，是最为成熟的 IPM 产品，从空调到工业变频器领域均有广泛使用，覆盖了1200V 的10A 到20A 的系列产品，而600V 更是覆盖了从15A 到50A 的全电流等级产品，采用先进的650V 和1200V 沟槽型的短路耐受 IGBT，和 DBC 基板技术，散热性极佳，并通过热侦测实现全面的保护功能。 

SPM® 45是兼顾散热和成本的高性价比方案，电流覆盖从5A 到30A，内置自举二极管和热敏电阻，引脚复用功能可满足客户更多需求，统一封装兼容1P到3P 空调，具有极佳的电磁兼容性能、温度特性，和完善的保护性能。

DIP-S6/DIP-S 产品比 SPM® 45系列功率密度更高，且内置的驱动芯片可实现直通保护，当控制型号将一个桥臂的上下管同时导通时，DIP-S6/DIP-S 产品将屏蔽其中一个信号，避免桥臂直通损坏模块。

在 PFC 模块领域，安森美半导体提供适用于无桥 PFC、升压 PFC 和交错并联 PFC 等各种PFC 拓扑的产品，高度集成功率器件驱动电路，内置热敏电阻，从而提高功率密度，易于PCB 布局和设计，电流等级从20A 到75A 全部覆盖。

值得一提的是，安森美半导体最新的交错式并联功率因数校正模块 NFL25065L4B，其功率器件部分内置了两颗第四代短路耐受能力的IGBT、两颗碳化硅(SiC)二极管及驱动芯片，无需客户再进行驱动电路设计，并集成了单相整流桥二极管，同时使用热敏电阻对壳温进行探测，具备优化的电磁兼容性能，单个 IGBT 功耗和在实际负载工作条件下的壳温都较前代FPAM50LH60降低，且导通时的电流和电压振铃都减小，关断时的拖尾电流明显改善，损耗更小。

SIP 系列覆盖600 V、5A/10A/15A 额定值，新的 SIP-K 采用新的 IGBT 及 FRD 工艺、第3代沟槽 IGBT、极快速二极管，和IMST基板技术，比现有 SIP 方案实现更小的封装尺寸，且引脚定义相同，易于替代，广泛用于工业变频器和泵。

针对冰箱、洗衣机、洗碗机和风扇风机在内的低于200W 的中小功率等级，安森美半导体提供 SPM8、SPM5和 SPM7产品，其紧凑化设计可实现产品的高功率密度需求，最小的 SPM7产品将6个 MOS、4个驱动芯片和众多外围电路集成在一个拇指盖大小的模块中，将风扇电机的物理结构与驱动设计合二为一。

安森美半导体提供1200V 和650V/600V 全系列的IPM产品，最高功率等级7.5kW，满足工业电机驱动、暖通空调(HVAC)、工业逆变、泵、工业风扇、白家电等各种应用需求，并针对新兴工业应用更紧凑和更高能效的趋势持续开发新的产品，基于新一代沟槽型的短路耐受IGBT 技术、先进的 DBC 和 IMST 基板技术及丰富的封装，提供更高的能效、功率密度、热性能和可靠性，助力提升工业系统能效。而且，安森美半导体的 IPM 封装和晶圆基地遍布全球，并不断扩大相关的晶圆和封测产能，以满足日益增长的客户需求。 

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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