符合 IEEE 802.3bt 标准，提供90W 功率给不同应用，

包括智能传感器、楼宇自动化和联接的照明

2019年9月5日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，凭借不断增长的符合 IEEE802.3bt标准的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的 IEEE802.3bt 标准，可用于通过局域网(LAN)联接提供高达90 W 的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制，还将功率扩展到100 W 用于电信和数字标识等系统。

新的 IEEE802.3bt PoE 标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场，使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt 标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理，令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个 PSE 仅向每个 PD 分配适当的功率量，从而最大化可用能量和带宽。

与 IEEE 802.at 标准(PoE+)提供的30 W 相比，IEEE 802.3bt 可提供高达90 W 的功率和互联到新的应用，无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑，并提供更强固的“即插即用”用户体验。

商业信息提供商 IHS Markit 电源半导体高级分析师 Kevin Anderson 说：“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一，预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用，如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”

NCP1095和 NCP1096接口控制器构成安森美半导体 PoE-PD 方案的基础，具有实施  PoE 接口所需的所有特性，包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔 FET。NCP1096集成的热插拔 FET 具有 Type 3或 Type 4 PoE 控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以 NCP1566 DC-DC 控制器、FDMC8622单 MOSFET、FDMQ8203和 FDMQ8205A GreenBridge™ 四通道 MOSFET，为 PoE 应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的PoE接口，最高可达标准的90 W 功率限制，若需更高的功率，可用专用的100 W 方案。

安森美半导体工业和离线电源方案副总裁 Ryan Cameron 说：“作为一家讲究高能效的公司，我们很高兴能促进 PoE 充分发挥潜力。我司提供全系列符合 IEEE 802.3bt 的方案，使这技术更容易广及所有开发工程师，有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”

欲了解更多信息，请联系您当地的安森美半导体代表或授权代理商。 

更多资源及文档：

登陆页：以太网供电(PoE)方案

视频：您需要更大功率

博客：开启更大功率 IoT 应用的大门

白皮书：四通道 MOSFET 方案替代二极管桥方案显著提高 PoE 能效

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，一套强有力的守法和道德规范计划，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。
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