因此，对于MOSFET的选取，在高频应用中，Rds (on) x Qg乘积数越低越有利于降低导通损耗和驱动损耗。应选择体积小、薄且散热性好的低热阻封装。由于氮化镓(GaN) MOSFET具有更优的Rds (on) x Qg参数，可额外增加约0.3%的满载效率，而在成本允许的情况下，GaN MOSFET是理想的选择。

2. 尖峰吸收电路损耗分析

尖峰吸收电路主要用于钳制MOS管Vds电压，防止其过压击穿。电阻-电容-二极管(RCD)吸收和瞬态电压抑制器(TVS)吸收是两种常用的电路，其中RCD最为常用，可靠性较高。

图3. 两种常见的尖峰吸收电路

对于RCD电路中，较大的吸收电容C可减少钳位电压纹波，但会增加待机功耗，所以C的选取一般以满载时5%至10%钳位电压纹波为宜。如果吸收电阻R较热，可减小变压器漏电感，选用Trr一致性好的慢管，可降低钳位电压，减少R损耗。

钳位电压方面，选择高的钳位电压可降低RCD吸收损耗，但需选高耐压MOS管，这会导致成本增加，而且变压器初级电流衰减速度会变快，次级整流电流上升斜率变陡，不利于EMI和次级同步整流效率优化。选择低的钳位电压，有利于EMI，次级同步整流控制，但RCD吸收损耗会增加。整流二极管D选用慢管可减少钳位电压和改善EMI，但二极管温升会较高。所以需综合考虑各方面影响，权衡择取。

3. 变压器损耗分析

变压器损耗主要包括磁芯损耗、线圈损耗和高频附加的磁芯及线圈损耗。对于>300 KHz应用，相比TP4A, 3C90或3F3，3C95/P51磁芯材料具有更低损耗。高频应用时，临近效应和趋肤效应导致绕线交流电阻增大，铜损增加，多股绞线将是非常不错的选择。

提高开关频率，可以减少变压器初级电感量，从而减少磁芯损耗。采用多股胶合线，减少趋肤效应，分开初级绕组(三明治绕法)以降低邻近效应。如安森美半导体的45 W参考设计选用RM7变压器，采用多股线加三明治绕法，初级端为24转25x AWG#38 绞合线，次级端为4转150x AWG#44 绞合线，采用3C90材料。

4. 输出整流损耗分析

输出整流通常有二极管整流和SR两种方案。由于SR MOS导通压降远低于二极管导通压降Vd，所以可比传统的二极管整流实现更高能效。