和初级MOSFET一样，SR损耗分为开关损耗(低压时可忽略不计)、驱动损耗(取决于Qg、开关频率及Vcc)和导通损耗。其中导通损耗包括MOSFET导通时的内阻损耗和体二极管在MOSFET导通前的导通损耗，体二极管导通损耗和MOSFET导通延时密切相关。安森美半导体的NCP4305/80系列同步整流控制IC具有极短导通延时，可调至30 ns，同时具有强大的驱动能力，能快速通断SR MOSFET。如在45 W参考设计中，SR MOSFET选用NVMFS6B03NL，内阻仅4 mΩ，Qg 70.7nC，若选用GaN SR MOSFET将可获得额外约0.3%的满载能效提升。

综上所述，损耗源及影响损耗的因素可归纳为：

表2. 损耗源及影响损耗的因素

45 W高功率密度适配器参考设计

该参考设计采用安森美半导体的NCP1340高频准谐振反激+NCP43080 SR架构, 在能效和待机功耗方面彰显出色性能，提供19 V/2.4 A额定输出，90-264 V宽输入电压，体积仅50 mm x 33 mm x 22 mm，所需外围元件数少，满载能效超过92%，待机功耗低于30 mW，完全符合CoC V5 Tier 2能效要求。

图4. 45 W参考设计能效 vs. 负载曲线