安森美半导体的高频准谐振反激式参考设计实现超高功率密度紧凑适配器

2016-08-01 10:39

其中NCP1340/1采用SO-8封装,高压启动,集成X2放电和欠压检测,运行达6个谷底锁定开关,可有效地解决因谷底数不稳定所产生的音频噪声问题,并通过最小频率钳位和Quiet-Skip运行消除噪声。人类能听到的频率范围是20Hz20kHz,早期的跳周期控制IC将最低开关频率设置在25 kHz,但间隙工作频率通常会在2 kHz4 kHz范围,所以一旦其进入跳周期模式,噪声还是很大的。Quiet-Skip将最大的间隙工作频率设置为800 Hz,虽然800 Hz仍在可听见的范围内,但其往往会与背景噪声很好的融合,所以不容易被察觉。NCP1340/1采用跳周期模式,电流消耗低,因而可实现低于30 mW的低待机功耗,具有频率抖动特性,可提升EMI性能,实测抖频功能可降低AV曲线低频段的峰值约5 dB。此外,NCP1341NCP1340多了功率倍增模式,可提高瞬态带载能力,同时保持最小尺寸的变压器,实现1.5倍或2倍的额定功率输出,非常适合打印机、驱动电源等需要损失功率倍增的应用场合。

总结

设计高功率密度的适配器电源不但要满足更轻更薄的发展趋势以提升用户体验,还要符合日趋严格的能效要求,这对设计人员来说充满挑战。高频准谐振反激是适用于低于65 W的高功率密度电源适配器的拓扑结构之一。安森美半导体的45 W高功率密度参考设计采用准谐振反激NCP1340/1 + 同步整流NCP4305/80的架构,可轻松设计出小巧、低成本的高能效高功率密度适配器,满载能效超过92%,待机功耗低于30 mW,远远超越能效规范。


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